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31 FAQ found
  • Discrete Semiconductors
    • SiC Power Devices
FAQ
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  • SiC-MOSFET 직렬 접속 시의 주의점은 무엇입니까?
    • ・상측 디바이스의 대지 절연이 디바이스의 절연 내전압밖에 보증할 수 없습니다.
      ・게이트 전압용 플로팅 전원이 직렬수만큼 필요합니다.
      ・직렬 접속시에는 ON 저항의 온도 계수가 (+)가 되므로, 열 폭주 방지를 위해 제품 편차를 고려하여 충분히 전류를 경감할 필요가 있습니다.
      ・직렬 접속하여 고내압의 싱글 스위치로서 사용하는 경우에는, 병렬로 고저항을 삽입하는 등, 적절히 분압되도록 대책을 세워야 합니다.
      ・스위칭 타이밍을 맞추지 않으면 내압 파괴의 우려가 있습니다.
    • Products: SiC Power Devices , SiC MOSFET , SiC MOSFET Bare Die  
  • SiC 제품 구동 시, 게이트 신호에 overshoot 및 undershoot가 발생하는 이유는 무엇입니까?
    • 기판의 기생 용량 및 기생 인덕턴스 등의 영향으로 인한 LC 공진이 원인이라 생각됩니다. 하기 항목을 확인하여 주십시오.
      ①게이트 드라이브 회로에 탑재된 외장 게이트 저항
      ②게이트 드라이브 회로의 출력 용량
      ③게이트 드라이브 회로 배선의 기생 인덕턴스
      ④SiC-MOSFET의 게이트 용량
      ⑤SiC-MOSFET의 내부 게이트 저항 등
      상기 항목중 하나의 저항이라도 작으면, overshoot 및 undershoot의 최고치가 크고, ringing 감쇠에 시간이 걸립니다.
      또한, 용량이 크면 최고치는 작아지지만, 스위칭 속도가 늦어집니다.
      인덕턴스가 크면 최고치가 커집니다.
    • Products: SiC Power Devices , SiC MOSFET , SiC Power Module , SiC MOSFET Bare Die  
  • SiC-MOSFET, SiC 모듈 제품의 구동 게이트 전압은 마이너스 바이어스가 필요합니까?
    • FET OFF 상태에서 드레인 전위가 상승할 때, 게이트 - 드레인간 용량의 AC 커플링 현상으로 인해, 게이트 전위가 상승할 가능성이 있습니다.
      대표적인 어플리케이션으로는 직렬 접속한 브릿지 구동입니다.
      ON 오류에 의한 단락 파괴를 방지하기 위해 마이너스 바이어스 사용을 권장합니다.
      게이트 - 소스간 용량을 추가함으로써 게이트 전위 상승을 억제할 수 있습니다.
      또한, 미러 클램프 MOSFET를 게이트 - 소스간에 접속하여, 확실히 단락함으로써 게이트 전위 상승을 방지할 수 있습니다.
      미러 클램프 MOSFET의 구동 시에는 노이즈에 의한 오동작에 주의하여 주십시오.
    • Products: SiC Power Devices , SiC MOSFET , SiC Power Module , SiC MOSFET Bare Die  
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