Internet Explorer 관련 안내:
로옴 웹 사이트는 IE11 사용을 권장하지 않습니다. 쾌적한 사용을 위해 브라우저를 갱신하여 주십시오.
뉴스
채용 정보
문의
사이트 내 검색
로옴 제품
Cross Reference
온라인 판매처 재고
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
My ROHM 로그인
제품 정보
기술 서포트
어플리케이션
구입 · 서포트
기업 정보・투자가 정보
Sustainability
My ROHM 로그인
제품 정보
기술 서포트
어플리케이션
구입 · 서포트
기업 정보・투자가 정보
Sustainability
Home
FAQ Search
SiC-MOSFET의 디바이스 구조에서 Planar 타입과 Trench 타입의 장단점은 무엇입니까?
View ALL FAQ
Contact Us
FAQ
SiC-MOSFET의 디바이스 구조에서 Planar 타입과 Trench 타입의 장단점은 무엇입니까?
Trench 타입의 장점은 ①작은 ON 저항, ②작은 기생 용량, ③우수한 스위칭 성능 등이 있습니다.
단점은 ON 저항이 작으므로 단락 내량이 짧다는 점입니다.
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
Please Wait...