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SiC-MOSFET 보디 다이오드의 순방향 강하 전압이 높은 이유는 무엇입니까?
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FAQ
SiC-MOSFET 보디 다이오드의 순방향 강하 전압이 높은 이유는 무엇입니까?
SiC의 밴드 갭이 Si의 약 3배이므로, pn 다이오드의 turn-on 전압은 3V 전후로 크며, 순방향 강하 전압이 비교적 높아집니다.
단, 브릿지 회로 등에서는 전류 순환 중에 게이트 ON 신호가 들어감에 따라 역도통되므로 실질적인 정상 손실은 크게 문제가 되지 않습니다.
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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