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SiC-MOSFET 보디 다이오드의 리커버리 시간이 Si-MOSFET에 비해 짧은 이유는 무엇입니까?
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FAQ
SiC-MOSFET 보디 다이오드의 리커버리 시간이 Si-MOSFET에 비해 짧은 이유는 무엇입니까?
SiC-MOSFET의 보디 다이오드는 pn 접합이지만, 소수 캐리어 수명이 짧으므로, 소수 캐리어의 축적 효과를 거의 얻을 수 없습니다.
따라서, SBD와 동등한 초고속 리커버리 특성 (수십 ns)을 나타내며, 리커버리 시간은 SBD와 같이 순방향 주입 전류에 의존하지 않고 일정합니다. (dI / dt가 일정한 경우)
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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