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FAQ
  • SiC 제품 사용 시, 게이트 신호에 발생하는 overshoot 및 undershoot를 억제하는 방법을 알려주십시오.
    • 기판의 기생 용량 및 기생 인덕턴스의 영향으로 인한 LC 공진이 원인이라 생각되므로, 하기 항목을 확인하여 주십시오.
      ①게이트 드라이브 회로에 탑재된 외장 게이트 저항을 크게 한다.
      ②게이트 드라이브 회로의 출력 용량을 작게 한다.
      ③게이트 드라이브 회로 배선의 기생 인덕턴스를 작게 한다.
      저항이 작으면, overshoot 및 undershoot의 최고치가 크고, ringing 감쇠에 시간이 걸립니다.
      또한, 용량이 크면 스위칭 속도가 늦어집니다. 인덕턴스는 가능한한 작게 하여 주십시오.