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FAQ
  • SiC 파워 디바이스의 특징에 대해 알려주십시오.
    • SiC는 Si에 비해 절연 파괴 전계 강도가 약 10배 높으며, 수천V까지의 고내압이 가능합니다. 또한, 단위 면적 당 ON 저항이 매우 작아 전력 손실도 우수합니다.
      Si에서는 고내압화에 따른 ON 저항의 증대를 개선하기 위해 IGBT가 주로 사용되지만, 스위칭 손실이 크다는 문제점이 있습니다.
      반면, SiC는 고속 스위칭 성능도 우수합니다.