RGT16BM65D
단락 내량 5µs, 650V 8A, FRD 내장, TO-252, Field Stop Trench IGBT
RGT16BM65D
RGT16BM65D
단락 내량 5µs, 650V 8A, FRD 내장, TO-252, Field Stop Trench IGBT
로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.
Product Detail
사양 :
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
8
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
95
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
94
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
6.6x10 (t=2.2)
특징 :
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5µs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
