BD3539NUX
DDR-SDRAM 터미네이션용 리니어 전원
BD3539NUX
BD3539NUX
DDR-SDRAM 터미네이션용 리니어 전원
BD3539NUX는 JEDEC 준거 DDR1-SDRAM, DDR2-SDRAM, DDR3-SDRAM에 대응하는 터미네이션 레귤레이터입니다. N-MOSFET를 내장하여 싱크 / 소스로 최대 1A까지 공급 가능한 리니어 전원입니다. 내부의 OP Amp를 고속 설계함으로써 우수한 과도 응답 특성을 실현합니다. 내부의 N-MOSFET를 구동하기 위해 바이어스용 전원으로 3.3V (DDR2, DDR3) 또는 5.0V (DDR1, DDR2, DDR3)가 필요합니다. JEDEC로 규정된 전압 정밀도를 유지하기 위해 독립된 기준 입력 Pin (VDDQ)와 독립된 피드백 Pin (VTTS)를 구비하여, 우수한 출력전압 정밀도 및 로드 레귤레이션을 실현합니다. 또한, DDR-SDRAM, 메모리 컨트롤러용 기준전원 출력 Pin (VREF)도 구비하였습니다. EN Pin=L의 경우, VTT 출력은 Hi-Z이지만, VREF 출력은 유지되어 DDR-SDRAM의 Self Refresh state에 대응합니다.
Product Detail
형명 | BD3539NUX-TR
상태 |
구입 가능
패키지 |
VSON008X2030
포장 수량 | 4000
최소 포장 단위 | 4000
포장 사양 | Taping
RoHS |
Yes
사양 :
ch
1
Vin(Min.)[V]
2.7
Vin(Max.)[V]
5.5
Iout(Max.)[A]
1
Circuit Current[mA]
2
Thermal Shut-down
Recover
Under Voltage Lock Out
Yes
Soft Start
Yes
Operating Temperature (Min.)[°C]
-30
Operating Temperature (Max.)[°C]
100
특징 :
· Incorporates a Push-Pull Power Supply for Termination (VTT)· Incorporates a Reference Voltage Circuit (VREF)
· Incorporates an Enabler
· Incorporates an Under Voltage Lockout (UVLO)
· Incorporates a Thermal Shutdown Protector (TSD)
· Compatible with Dual Channel (DDR1, DDR2, DDR3)
· Usable Ceramic Capacitor at Output
