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RPI-0128

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형명 구성
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RoHS 지침 대응 정보

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외관

RPI-0128 Outline

Ultraminiature SMD Type

외형 치수

RPI-0128 Dimensions

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[ 제품 개요 ]

로옴의 광 센서는 변화를 모니터링하는 전자의 눈으로서, 각종 움직임을 검출하며 고객의 다양한 요구에 대응합니다.

특징

ᆞGap 폭 1.2mm
ᆞ초소형 면실장 타입

제품 사양

절대최대정격 (Tc=25°C)
Rated parameters Standard value Conditions
Input(LED)
Forward current IF(mA) 30  
Reverse voltage VR(V) 5  
Power dissipation PD(mW) 80  
Collector-Emitter voltage VCEO(V) 30  
Output(Photo-toransistor)
Emitter-Collector voltage VECO(V) 4.5  
Collector current IC(mA) 30  
Power dissipation PC(mW) 80  
Temperature Characteristics
Operating temperature Topr(°C) -25 ~ 85  
Storage temperature Tstg(°C) -30 ~ 85  
전기적ᆞ광학적 특성 (Ta=25°C)
Parameters Value Conditions
Input Characteristics
Input Characteristics||Forward voltage VF(V) 1.35 IF=5mA
Input Characteristics||Reverse current IR(µA) 10 VR=5V
Output Characteristics
Output Characteristics||Dark current-Max. ICEO(µA) 0.1 VCE=10V
Output Characteristics||Peak sensitivity wavelength λP(nm) 800  
Transfer Characteristics
Transfer Characteristics||Collector current-Max. IC(mA) 1.00 VCE=5V,IF=5mA
Transfer Characteristics||Collector-Emitter saturation voltage-Max. VCE(sat)(V) 0.4 IF=20mA,IC=0.1mA
Transfer Characteristics||Response time tr·tf(µs) 10 VCC=5V,IF=20mA,RL=100Ω
Infrared Light Emitting Diode
Infrared Light Emitting Diode||Cut-off frequency FC - IF=50mA
* Non-coherent Infrared light emitting diode used.
Infrared Light Emitting Diode||Peak light emitting wavelength λP(nm) 850 IF=50mA
* Non-coherent Infrared light emitting diode used.
Phototransistor
Phototransistor||Response time tr·tf(µs) 10 VCC=5V,IF=1mA,RL=100Ω
* This product is not designed ~ be protected against electromagnetic wave.
Phototransistor||Maximum sensitivity wavelength λP(nm) 800 |

※기재되어 있는 내용은 개량 등으로 인해 예고없이 변경될 경우가 있습니다.
검토 시에는 최신 사양서를 청구하신 후 검토 바랍니다.



제품 상황

Part No. Status
*1		 RoHS Packing
style		 Package
quantity		 Sales
RPI-0128 Active Yes Taping 750 Inquiry

*1 Active : 양산 체제  Preparation : 사전 준비  Preview : 개발중


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