RH6G040BG
Nch 40V 95A, HSMT8, 파워 MOSFET
RH6G040BG
Nch 40V 95A, HSMT8, 파워 MOSFET
RH6G040BG는 스위칭 용도에 최적인 낮은 ON 저항의 MOSFET입니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
95
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0047
Total gate charge Qg[nC]
12.5
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
특징 :
- Low on - resistance
- High Power small mold Package(HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
Supporting Information
배경
최근 전 세계적으로 전력 소비량이 증가함에 따라 전력의 유효 활용이 중요시되는 가운데, 기지국, 서버 등 산업기기 및 각종 모터에 있어서도 고효율화가 가속화되고 있습니다. 그리고 이러한 어플리케이션에 있어서 중내압 MOSFET는 다양한 회로에서 사용되고 있어, 각 메이커로부터 저손실화가 요구되고 있습니다. 그러나, MOSFET의 전력 손실로 이어지는 주요 파라미터인 ON 저항과 Qgd는, 일반적인 MOSFET의 경우 칩 사이즈 대비 ON 저항은 반비례하여 작아지고, Qgd는 비례하여 커지기 때문에 동시에 실현하기가 어려웠습니다. 로옴은 이러한 과제에 대응하여 프로세스의 미세화와 Cu 클립 접속 채용, 게이트 구조 개선을 통해 ON 저항과 Qgd를 모두 개선하였습니다.
개요
「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx 시리즈」는 프로세스의 미세화를 통한 소자 성능의 향상과 더불어 저항이 낮은 Cu (구리) 클립 접속 HSOP8 / HSMT8 패키지를 채용함으로써, 기존품 대비 약 50％ 저감된 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항 (Ron) 2.1mΩ을 달성하였습니다. 또한, 게이트 구조의 개선을 통해, 일반적으로 ON 저항과 트레이드 오프 관계인 Qgd (게이트 – 드레인간 전하량)도 기존품 대비 약 40％ 저감하였습니다 (Ron · Qgd 모두 HSOP8 패키지, 60V 내압 제품의 Typ.값으로 비교). 이에 따라, 스위칭 손실 및 도통 손실을 저감할 수 있어 각 어플리케이션의 고효율 동작에 크게 기여합니다. 고효율 동작의 일례로서, 산업기기용 전원 평가 기판에서 전원 효율을 비교한 결과, 정상 동작 시의 출력전류 범위에서 업계 최고 수준의 전원 효율 (피크 시 약 95％)을 달성하였습니다.
어플리케이션 예
◇통신 기지국 및 서버용 전원
◇산업기기용 · 민생기기용 모터
등, 폭넓은 기기의 전원 회로 및 모터 구동에 채용 가능합니다.
