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DDR-SDRAM 코어용 FET 내장 스위칭 전원

Switching Regulators with MOSFET for DDR-SDRAM Cores

로옴의 DDR-SDRAM 코어용 FET 내장 스위칭 전원은 높은 정밀도와 우수한 응답 특성으로 DDR-SDRAM의 코어용 전원을 고효율로 실현합니다. 입력전압 범위 (4.5 ~ 28V)가 넓어, 대전류로 저출력전압 (0.7 ~ 5.0V)을 실현할 수 있습니다. DDR-SDRAM의 저전압화 · 대전류화에 적합한 IC입니다. 3A ~ 6A의 FET를 내장하여 스페이스 절약을 실현합니다. 

ロームの고성능 PC 용 전원 IC

※ 아이콘에 마우스를 갖다대면 상세가 표시됩니다.
사양 품 명 패키지 기 능
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 3A Type
BD95513MUV

VQFN032V5050
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 4A Type
BD95514MUV

VQFN032V5050
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 6A Type
BD95500MUV

VQFN040V6060


어플리케이션 블록도

평가 기판
확대
  

특징

대전류 FET 내장으로 스페이스 절약

해마다 PC의 기능이 부가되어, 전원이 차지하는 면적이 점점 적어지고 있습니다. 이와 같은 상황을 바탕으로 개발된 제품이 DDR-SDRAM 코어용 FET 내장 스위칭 전원입니다. 이 전원 IC는 오른쪽 그림과 같이 기존의 전원 구성에서 대폭적인 스페이스 절약을 실현합니다.

  
확대
SLLM (PFM) 제어, QLLM 제어 전환으로 suspend 시에도 고효율
enable (EN) 단자와 소프트 스타트 (SS) 단자로 복수 전원의 sequence 제어 용이
고속 부하 응답으로 DDR-SDRAM의 안전 동작전압 확보
외장 저항으로 동작 주파수 자유자재

상세한 내용은 문의 페이지를 통해 문의하여 주십시오.



스위칭 전원

Part No. Input Voltage
(Vcc)
(V)		 Input Voltage
(Vin)
(V)		 Output
current
(A)		 Output
voltage
(V)		 Voltage
precision
(%)		 NRCS
(soft start)		 Thermal
shut down
 UVLO Output
over
voltage
protection		 Package RoHS ROHM E-Lab.
Reset
BD95513MUV Internal 5V Reg 4.5 ~ 28.0 3 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN032V5050 Yes
BD95514MUV Internal 5V Reg 4.5 ~ 28.0 4 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN032V5050 Yes -
BD95500MUV 4.5 ~ 5.5 3.0 ~ 20.0 6 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN040V6060 Yes -

 

고성능 PC 용 전원 IC

2010.12.23

전원 IC를 한번에 검색할 수 있는 퀵 서치 기능을 Web에 탑재

cross reference

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