Electrically Erasable Programmable ROM (전기적으로 삭제 가능한 불휘발성 메모리)
기판 상에서 전기신호를 통해 어드레스마다 데이터의 rewrite 가 가능합니다.
로옴의 EEPROM 은 업계 최고 수준의 100만회 rewrite, 40년 데이터 보존이 가능하며, 모든 라인업의 메모리 셀에는 로옴만의 W-CELL (더블 셀) 기술을 도입하여, 압도적인 고신뢰성을 자랑합니다. (데이터 -우발 불량” 제로)

데이터 보존 년수 (40년), rewrite 회수 (100만회)의 특성에 상호 관계는 없습니다. 따라서, 100만회 rewrite 후, 40년의 데이터 보존이 가능합니다.

각각의 실력치는 온도 조건에 의존합니다. 실력치 데이터가 필요한 경우에는 당사 영업을 통해 의뢰하여 주십시오.

시리얼 2선식 400KHZ 동작 가능 (세계 표준 I²C-BUS 에 완전 준거)
가장 흔히 사용되는 인터페이스로, 디지털 가전 / Bluetooth 모듈 / 백색가전을 중심으로 폭넓게 사용되고 있습니다.

시리얼 3선식 5MHz 동작 가능 (세계 표준 SPI BUS 에 완전 준거)
고속 통신에 유용하며, 자동차용 / 와이어레스 LAN / DVC / DSC 등을 중심으로 사용되고 있습니다.

시리얼 3선식 2MHz 동작 가능 (세계 표준 Microwire BUS 에 완전 준거)
자동차용 / HDD / MotherBoard 등을 중심으로 사용되고 있습니다.

로옴의 독자적인 고신뢰성 메모리 셀 구조.
통상적으로 (경합 타사) 1bit 에 할당되는 메모리 셀은 1 셀이며, 만약 메모리 셀이 우발 불량을 일으킨 경우, 데이터는 손실되게 됩니다.
그러나 로옴은 2셀 할당으로, 만약 1셀이 우발 불량을 일으키더라도 다른 한 개의 메모리 셀로 인해 데이터는 손실되지 않으므로, 고객님의 소중한 데이터를 보존하게 됩니다.

고객의 사용 과정에서 우발적으로 메모리 셀이 불량이 되어 데이터를 손실하게 되는 것. EEPROM 의 메모리 셀은 rewrite 횟수에 제한이 있습니다. (로옴의 경우, 최고 수준인 100만회) 이 제한 횟수 내에서 우발 불량이 일어나지 않는다는 보장은 타사에서도 하고 있지 않습니다. (출하 시에는 모두 bit 정상임을 확인하고 있습니다.)
이 우발 불량률을 줄이기 위해 로옴에서는 W-CELL (더블 셀) 구조를 도입하고 있어, 데이터 보존의 고신뢰성을 실현하고 있습니다.

찾으시는 품번의 상세 페이지의 "패키지"에 링크되어 있는 외형 치수의 "실장 사양"에 기재되어 있습니다.

또는 하기를 참조하여 주십시오.

가까운 영업 본부 / 영업소로 전화 문의하여 주십시오. 또는 하기의 형식으로 문의하여 주십시오.

특별히 당사에서 권장하는 제품은 없습니다.

폐지 품번에 기재되어 있는 제품은 현재 제공되지 않으므로, 대체품 번호를 검토하시기 바랍니다.
-폐지 품번 리스트” 를 참조하십시오.

완전한 호환성은 없지만, 기능적으로 호환성이 있는 하기의 시리즈를 참고하여 주십시오.
데이터 시트도 다운로드 가능합니다.

저전압 입력 오류 방지회로 (LVcc 회로) 가 작동하여, Write command 를 취소하므로, 입력 오류를 막을 수 있습니다.
Turn on 시의 주의 -Power On Reset (P.O.R 회로)” 가 동작하도록 하십시오.

지정 어드레스의 데이터가 손상되므로 재기록하여 주십시오. 지정하지 않은 어드레스의 데이터는 손상되지 않습니다.

전원 Turn on 시의 IC 내부 리셋 기능.
전원 Turn on 시에는 IC 내부회로 및 세트가 불안정한 저전압 영역을 통과하여 Vcc 가 작동하므로, IC 내부를 완전히 리셋하여 turn on 하도록 권유하고 있습니다. 이를 위해 POR 회로를 동작시키기 위한 추장 조건을 데이터 시트에 명시하고 있습니다.

어드레스 별 입니다.

bit별로 100만회 rewrite를 보증합니다.

IC의 rewrite 회수를 의미하는 것이 아닙니다.

주1) rewrite 회수는 온도 조건에 의존합니다. Rewrite 회수의 실력치에 대해서는 별도 데이터를 영업으로 의뢰하여 주십시오.

주2) rewrite 회수와 데이터 보존 년수와는 관련이 없습니다.

가능합니다.

EEPROM은 100만회를 넘으면 메모리 셀 내의 플로팅 게이트의 전하 축적이 어려워져 어느 순간 기록이 불가능해집니다.
전하의 주입이 불가능해진 셀은 L이 됩니다.

최종 rewrite 종료 후부터 40년간 데이터를 보존할 수 있습니다. 40년 보증입니다.

I²C BUS
  입력 시간의 정의는 byte 입력 시 1byte,페이지 입력 시 1 페이지를 입력하는 시간입니다.

SPI BUS
  입력 시간의 정의는 byte 입력 시 1byte,페이지 입력 시 1 페이지를 입력하는 시간입니다.

Microwire Bus (BR93L□□ 시리즈, BR93H□□ 시리즈).
  입력 시간의 정의는 입력 사이클 (WRITE) 시 1byte,
  전 어드레스 입력 사이클 (WRAL) 시는 전 어드레스를 입력하는 시간입니다.

100KHz max. 에서의 동작을 STANDARD-MODE, 400KHz max. 에서의 동작을 FIRST-MODE 라 합니다.
각 조건은 1.8VVcc<2.5V＝100KHz max. 2.5VVcc 5.5V＝400kHz max. 입니다.

내부적으로 완전히 NC되어 있으므로, GND / Vcc 어느쪽에 접속해도 무방합니다.

I²C BUS이므로, Slave Address 설정이 필요합니다.

설정을 위해서 단자 A2 / A1 / A0를 사용하고 있지만, 4Kbit / 8Kbit / 16Kbit에 대해서는 WORD ADDRESS 설정용으로 사용되므로 (용량별 자세한 사항은 테크니컬 노트 7 / 32 페이지의 Device addressing에 기재), 그 단자는 NC 핀이 되므로 GND / Vcc 어느쪽에 접속하여도 문제가 없습니다.

문제가 발생합니다. 오픈으로는 사용하지 말아 주십시오.
A0, A1, A2 단자는 디바이스 어드레스를 의미합니다.
이 단자의 H / L 상태와 SCL, SDA에서 시리얼로 입력되는 A2 A1 A0 (디바이스 어드레스)가 일치할 때, EEPROM이 이 디바이스가 선택되었다고 인식하여 정상 동작합니다.
A0, A1, A2 단자가 오픈일 경우, 단자 상태는 규정되지 않아 디바이스의 불일치가 발생하므로 동작하지 않을 것으로 예상됩니다.

로옴의 권장 동작 조건하에서 기록 시, 데이터의 신뢰성에는 문제가 없습니다.

신뢰성 시험 항목에 대한 자세한 사항은 로옴 EEPROM 페이지에 게재되어 있는 신뢰성 시험 결과를 참조하여 주십시오.

입력 PIN의 풀업 (풀다운) 저항치를 크게 하면 turn-on 시의 펄스를 작게할 수 있습니다.
그러나, 입력 신호의 turn-on, turn-off가 느려지므로 동작 타이밍 특성에 주의하여 주십시오.

마이컴의 DI/O 출력과 EEPROM의 DO 출력의 데이터 충돌이 하기의 2가지 원인으로 발생하므로 저항이 필요합니다.

1. 리딩 명령 시 A0 어드레스 데이터를 받아 들이는 1클록 사이클
   어드레스 데이터 A0="1" 입력 시, 더미 비트 "0" 출력과 충돌하여 관통 전류 경로가 발생합니다.
2. 기록 명령 후의 CS="H"의 타이밍
   기록 명령 후의 코맨드 입력 시에 마이컴 DI/O 출력을 "L" 상태로 유지한채 CS를 입력하면 DO 단자에서 READY 출력 "H"가 출력되어 관통 전류 경로가 발생합니다.
   이 때 DI=H , SK=H로 CS를 입력하면 스타트 bit로 인식되므로 CS 입력 기동 시에는 SK=L로 하여 주십시오.

페이지 셀렉 bit는 상위 어드레스 지정 bit를 뜻합니다.
어드레스 지정 bit는 코맨드 명령에 WA7~WA0의 8bit를 설정하고 있습니다. 256 종류의 조합밖에 없으므로 4Kbit 이상의 용량을 가지는 EEPROM의 경우 슬레이브 어드레스 내에 어드레스 지정 bit로서 할당하고 있습니다.
따라서, 페이지 셀렉 bit는 하기와 같이 WA7~0의 연장으로서 취급하여 주십시오.

BR24L04-W　　　PS　→　WA8
BR24L08-W　　　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
BR24L16-W　　　P2　→　WA10 　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
(참고)

기종명	어드레스 수	필요 bit 수	지정 어드레스	bit 명
BR24L02-W	256	8		WA7～WA0
BR24L04-W	512	9	PS	WA7～WA0
BR24L08-W	1024	10	P1,P0	WA7～WA0
BR24L16-W	2048	11	P2,P1,P0	WA7～WA0

입력전압이 중간 전위일 경우, 단자는 H 입력, L 입력 어느쪽으로 판정할지 알 수 없습니다.
입력 회로에는 히스테리시스가 있으며 TYP로 0.2V 정도입니다.

로옴의 EEPROM 은 전 제품 RoHS 지침에 대응하고 있습니다.

로옴 EEPROM 페이지에서 확인 가능합니다.