・상측 디바이스의 대지 절연이 디바이스의 절연 내전압밖에 보증할 수 없습니다. ・게이트 전압용 플로팅 전원이 직렬수만큼 필요합니다. ・직렬 접속시에는 ON 저항의 온도 계수가 (+)가 되므로, 열 폭주 방지를 위해 제품 편차를 고려하여 충분히 전류를 경감할 필요가 있습니다. ・직렬 접속하여 고내압의 싱글 스위치로서 사용하는 경우에는, 병렬로 고저항을 삽입하는 등, 적절히 분압되도록 대책을 세워야 합니다. ・스위칭 타이밍을 맞추지 않으면 내압 파괴의 우려가 있습니다.
SiC-MOSFET의 보디 다이오드는 pn 접합이지만, 소수 캐리어 수명이 짧으므로, 소수 캐리어의 축적 효과를 거의 얻을 수 없습니다. 따라서, SBD와 동등한 초고속 리커버리 특성 (수십 ns)을 나타내며, 리커버리 시간은 SBD와 같이 순방향 주입 전류에 의존하지 않고 일정합니다. (dI / dt가 일정한 경우)
SiC의 밴드 갭이 Si의 약 3배이므로, pn 다이오드의 turn-on 전압은 3V 전후로 크며, 순방향 강하 전압이 비교적 높아집니다. 단, 브릿지 회로 등에서는 전류 순환 중에 게이트 ON 신호가 들어감에 따라 역도통되므로 실질적인 정상 손실은 크게 문제가 되지 않습니다.