If the test pin (Pin 6) is connected to VCC write commands will be executed normally. However, if connected to VCC, please consider the BR93Hxx-2C series where pin 6 is NC.
고객의 사용 과정에서 우발적으로 메모리 셀이 불량이 되어 데이터를 손실하게 되는 것. EEPROM 의 메모리 셀은 rewrite 횟수에 제한이 있습니다. (로옴의 경우, 최고 수준인 100만회) 이 제한 횟수 내에서 우발 불량이 일어나지 않는다는 보장은 타사에서도 하고 있지 않습니다. (출하 시에는 모두 bit 정상임을 확인하고 있습니다.) 이 우발 불량률을 줄이기 위해 로옴에서는 W-CELL (더블 셀) 구조를 도입하고 있어, 데이터 보존의 고신뢰성을 실현하고 있습니다.
The BR93Hxx-WC reduces the lower limit of the operating supply voltage range from 2.7V to 2.5V, increases the data retention period from 40 years to 100 years, raises the SK frequency from 1.25MHz to 2MHz, and reduces the write cycle time from 10ms to 4ms.
Since both SK and DI constitute NAND logic with CS, if the CS pin is at 'L' SK and DI logic will not be affected, eliminating the need for pull-up or pull-down operation.
In order to prevent erroneous writing during power ON, maintain the state of the input pin until VCC rises by pulling the microwire CS pin to ground, pulling up the SPI CSB pin to VCC, the I²C SDA pin to 'H', and SCL to 'H' or 'L', and adhere to the power supply rise time and voltage stipulated in the datasheet.