250V 내압 MOSFET RC 시리즈 
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PrestoMOSTM |
소형 복합 VMT6 패키지 (휴대전화 / 모바일 관련) |
1.2V 구동 MOSFET |
Power MOSFETs |
MPT6 | 고속 스위칭 고내압 MOSFET | 뮤팅용 트랜지스터 | KMD2 패키지 |
차세대 쇼트키 배리어 다이오드
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차세대 쇼트키 배리어 다이오드
RCX330N25 / RCX510N25
신규 프로세스 개발 및 칩 디자인의 최적화로 고성능ᆞHigh di/dt 파괴 내량과 저 ON 저항을 동시에 실현. 고효율ᆞ저전력ᆞHigh di/dt 파괴 내량이 요구되는 모터 드라이브 회로나 프로젝터 광원 회로 등에 최적입니다.
전원 일체형 인버터 등에 최적인 고속 trr 타입 고내압 MOSFET 'PrestoMOS 시리즈' 를 새롭게 라인업. 고속 스위칭 및 내부 Di 의 고속 trr 화로 고효율ᆞ저손실화 및 전원 기판의 소형화에 기여합니다.
VMT3 패키지에 2소자를 탑재하여, 소형화를 실현하였습니다. EMT6 패키지 대비 실장면적 43% 감소. VMT3 패키지의 복합화가 가능합니다. VT6T11, VT6T12, VT6X11, VT6X12 는 2소자의 페어성을 보증하므로, current mirror 회로에 최적 (hFE1 / hFE = 2.09 ~ 1.1) 입니다.
ECOMOSTM 시리즈
신규 저전압 구동 프로세스를 채용하여, VGS=1.2V 에서의 안정 동작 실현. 또 기존의 2.5V 제품 대비, ON 저항을 대폭 저감. ON 상태에서의 소비전력을 90% 저감한 저전력 시리즈입니다.
CCFL (EEFL) 에 비해 환경 부하가 적은 LED 백라이트. LED 백라이트 구동용 MOSFET 시리즈는 LED 백라이트의 승압 컨버터, 로드 스위치 회로 용도에 최적인 VDSS＝45V / 60V 의 라인업을 구비하고 있습니다. 또, 업계 최고급의 저 ON 저항으로 ON 상태에서의 소비전력을 삭감합니다.
RP1E090RP / RP1E075RP
2W 의 하이파워를 4540 사이즈로 실현. 기존의 SOP8 패키지 대비, 실장 면적 40％, 높이 43％ 를 삭감하여, 기기의 소형화에 기여합니다. 또 신개발 저 ON 저항 소자를 채용하여, SOP8 듀얼 제품과 동등한 ON 저항을 실현하였습니다.
신세대 R50□□/R60□□시리즈
신개발 저 ON 저항 프로세스의 채용으로 ON 저항을 기존의 50%로 저감하였습니다. 스위칭 스피드의
대폭적인 향상을 실현하였으며, 스위칭 손실을 대폭적으로 저감합니다.
2SD2704K / IMX25 / DTC614TU / IMH21 / US6H23
프레임에 Cu 계를 사용함으로써, 자장에 의한 영향을 저감 (US6H23) 하여, 고음질화에 기여합니다. ON 저항 저감에 의한 감쇠율의 대폭 향상과 듀얼 타입에 의한 부품수 삭감으로 저전력, 스페이스 절약에도 기여합니다.
RB551SS-30 / RB161SS-20 / RB550SS-30 / RB160SS-40
로옴에서는 소형 하이파워 KMD2 패키지로 쇼트키 배리어 다이오드 (2기종) 의 양산 개시!! KMD2 패키지란 독자적인 칩 디바이스 구조 개발과 세계 최소급 (0.6mm x 0.3mm) 의 소신호 다이오드 패키지 'GMD2' 로 실적을 쌓은 초정밀 가공 기술의 도입 등을 통해 개발에 성공한 업계 최소급의 파워 다이오드 패키지 (1.6mm x 0.8mm) 입니다. 앞으로도 제품 라인업 확충을 위해, SBD 뿐 아니라 제너 다이오드도 개발 예정입니다.
RSX 시리즈
독자적인 미세 가공및 디바이스 구조로 기존의 트레이드 오프관계에 있는 VF・IR을 동시에 저감합니다.
또한 High ESD 내량도 실현하였습니다.
