독자적인 저용량 구조로 동기정류형 DC/DC 회로 High Side의 스위칭 손실을 저감함과 동시에 저 ON 저항 특성도 실현함으로써 Low Side의 도통 손실도 저감할 수 있어 회로 전체의 효율을 대폭 향상시킬 수 있습니다.

신규 프로세스 개발 및 칩 디자인의 최적화로 고성능ᆞHigh di/dt 파괴 내량과 저 ON 저항을 동시에 실현. 고효율ᆞ저전력ᆞHigh di/dt 파괴 내량이 요구되는 모터 드라이브 회로나 프로젝터 광원 회로 등에 최적입니다.

CCFL (EEFL) 에 비해 환경 부하가 적은 LED 백라이트. LED 백라이트 구동용 MOSFET 시리즈는 LED 백라이트의 승압 컨버터, 로드 스위치 회로 용도에 최적인 V_DSS＝45V / 60V 의 라인업을 구비하고 있습니다. 또, 업계 최고급의 저 ON 저항으로 ON 상태에서의 소비전력을 삭감합니다.

2W 의 하이파워를 4540 사이즈로 실현. 기존의 SOP8 패키지 대비, 실장 면적 40％, 높이 43％ 를 삭감하여, 기기의 소형화에 기여합니다. 또 신개발 저 ON 저항 소자를 채용하여, SOP8 듀얼 제품과 동등한 ON 저항을 실현하였습니다.

로옴에서는 소형 하이파워 KMD2 패키지로 쇼트키 배리어 다이오드 (2기종) 의 양산 개시!! KMD2 패키지란 독자적인 칩 디바이스 구조 개발과 세계 최소급 (0.6mm x 0.3mm) 의 소신호 다이오드 패키지 'GMD2' 로 실적을 쌓은 초정밀 가공 기술의 도입 등을 통해 개발에 성공한 업계 최소급의 파워 다이오드 패키지 (1.6mm x 0.8mm) 입니다. 앞으로도 제품 라인업 확충을 위해, SBD 뿐 아니라 제너 다이오드도 개발 예정입니다.