RZQ050P01 | MOSFET | 트랜지스터 | 디스크리트 반도체

외관

RZQ050P01 Outline

TSMT6

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등가회로도

RZQ050P01 등가회로도

[제품 개요]

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "초저 ON 저항 디바이스" 로 폭넓은 분야에 응용할 수 있는 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

ᆞ저전압 1.5V 구동 타입 Pch MOSFET

절대최대정격(Ta=25°C)
Rated parameters	Standard value	Conditions
Drain-Source voltage V_DSS(V)	-12
Gate-Source voltage V_GSS(V)	±10
Drain current(continuous) I_D(A)	±5
Source current(body Di) I_S(A)	-1
Total power dissipation P_D(W)	1.25	Mounted on a ceramic board
Channel temperature Tch(°C)	150
Storage temperature Tstg(°C)	-55 ~ +150

※기재되어 있는 내용은 개량 등으로 인해 예고없이 변경될 경우가 있습니다.
검토 시에는 최신 사양서를 청구하신 후 검토 바랍니다.

Part No.	Package	Status *	RoHS	Packing style	Package quantity	Sales
RZQ050P01TR	TSMT6/SC-95 @ROHM/JEDEC	Active	Yes	taping	3000	Inquiry

※ Active : 양산 체제 Preparation : 사전 준비 Preview : 개발중

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