10V 구동 타입 Nch MOSFET
R5011FNX
외관
TO-220FM
외형 치수
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등가회로도
[제품 개요]
전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 신 프로세스를 채용한 "스위칭 전원용 고효율 고내압 디바이스" 로 저소비전력을 실현한 파워 MOSFET 를 제공하며, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.
특징
ᆞ10V 구동 타입 Nch 파워 MOSFET
제품 사양
| 절대최대정격(Ta=25°C) | ||
| Rated parameters | Standard value | Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) | 500 | |
| Gate-Source voltage VGSS(V) | ±30 | |
| Drain current(continuous) ID(A) | ±11 | Please use the device with SOA(safety operation area) |
| Source current(body Di) IS(A) | 11 | Please use the device with SOA(safety operation area) |
| Total power dissipation PD(W) | 50 | |
| Channel temperature Tch(°C) | 150 | |
| Storage temperature Tstg(°C) | -55 ~ +150 | |
※기재되어 있는 내용은 개량 등으로 인해 예고없이 변경될 경우가 있습니다.
검토 시에는 최신 사양서를 청구하신 후 검토 바랍니다.
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