R5011FNX | MOSFET | 트랜지스터 | 디스크리트 반도체

외관

R5011FNX Outline

TO-220FM

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등가회로도

R5011FNX 등가회로도

[제품 개요]

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 신 프로세스를 채용한 "스위칭 전원용 고효율 고내압 디바이스" 로 저소비전력을 실현한 파워 MOSFET 를 제공하며, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

ᆞ10V 구동 타입 Nch 파워 MOSFET

절대최대정격(Ta=25°C)
Rated parameters	Standard value	Conditions
Drain-Source voltage V_DSS(V)	500
Gate-Source voltage V_GSS(V)	±30
Drain current(continuous) I_D(A)	±11	Please use the device with SOA(safety operation area)
Source current(body Di) I_S(A)	11	Please use the device with SOA(safety operation area)
Total power dissipation P_D(W)	50
Channel temperature Tch(°C)	150
Storage temperature Tstg(°C)	-55 ~ +150

※기재되어 있는 내용은 개량 등으로 인해 예고없이 변경될 경우가 있습니다.
검토 시에는 최신 사양서를 청구하신 후 검토 바랍니다.

Part No.	Package	Status *	RoHS	Packing style	Package quantity	Sales
R5011FNX	TO-220FM	Active	Yes	bulk	500	Inquiry

※ Active : 양산 체제 Preparation : 사전 준비 Preview : 개발중

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