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FAQ


FAQ

 절대최대정격을 한 순간 넘어서도 사용할 수 있습니까?
 베이스 전류의 최대정격은 얼마입니까?
 콜렉터 에미터 간에 내압과 역방향 전압을 인가할 수 있습니까?
 hFE 의 실력치는 어느 정도의 편차가 있습니까?
 디지털 트랜지스터의 기본적인 내용을 알려주십시오.
 디지털 트랜지스터의 내장 트랜지스터에 들어가는 베이스 전류의 계산 방법은?
 디지털 트랜지스터를 ON 시키기 위한 입력전압 (구동전압) 의 계산 방법은?
 "1.5V 구동" 이라고 되어 있는데, 기존품 호환 (1.8V 구동, 2.5V 구동 제품) 은 가능합니까?
 순간적으로 정격 ID 이상의 전류가 흐르게 될 경우, 사용 가능 여부에 대한 판단은 어떻게 합니까?
 할로겐 프리 제품은 대응 가능합니까?
 주위온도가 변할 경우 어떠한 사항에 주의해야 합니까?

바이폴라 트랜지스터 / 디지털 트랜지스터

절대최대정격을 한 순간 넘어서도 사용할 수 있습니까?

절대최대정격은 한 순간이라도 넘어서는 안됩니다. 브레이크 다운으로 트랜지스터가 파괴되거나, hFE 가 저하하는 등 열화될 가능성이 있습니다. 단발 펄스의 경우, 사용 가능한 범위는 안전동작영역 (SOA) 을 확인하십시오. 연속 펄스의 경우에는 전력 계산이나 소자 온도 계산이 필요합니다. 자세한 판단 순서는 "사용 가능여부 판단 방법"ᆞ"소자 온도의 계산 방법" 을 참조하십시오.
(또, "Derating" 에 관한 항목도 참조하십시오.)

베이스 전류의 최대정격은 얼마입니까?

베이스 전류의 최대정격은 콜렉터 전류 최대정격의 1/3 입니다. (Darlington 접속 트랜지스터의 경우, 1/10 입니다.)
예 : 2SD2656 의 경우
콜렉터 전류 최대정격은 DC 로 1A, 펄스로 2A 이므로, 베이스 전류 최대정격은 DC 로 333mA, 펄스로 666mA 가 됩니다.
디지털 트랜지스터의 경우, 사양서에 기재되어 있는 Vin 정격을 지키면 입력전류가 정격을 넘지 않도록 Vin 정격이 설정되어 있습니다.

콜렉터 에미터 간에 내압과 역방향 전압을 인가할 수 있습니까?

NPN 트랜지스터의 경우, 에미터를 GND 로서 콜렉터에 + 전압을 인가하였을 때의 내압이 사양서에 기재되어 있는 VCEO 입니다. (PNP 트랜지스터의 경우, 콜렉터를 GND 로서 에미터에 + 전압을 인가하였을 때의 내압이 VCEO 입니다.)
이와 역방향 (NPN 의 경우, 콜렉터를 GND 로서 에미터에 + 전압을 인가했을 경우) 내압은 에미터 베이스 간의 내압과 거의 같습니다. 에미터 베이스 간 내압은 통상 5-7V 정도이므로, 콜렉터-에미터 간의 역방향 전압은 5V 이하로 사용하시기 바랍니다. (콜렉터-에미터 간 역방향에 내압에 가까운 전압을 가하면 hFE 저하 등의 열화가 발생할 수 있습니다.) 콜렉터-에미터 간 역방향 전압이 5V 이하라면, 전류는 리크 전류 정도만 흐르게 됩니다.


디지털 트랜지스터도 상기와 같이 콜렉터-에미터 간 (OUT-GND 간) 의 역방향에는 5V 까지의 전압을 인가할 수 있습니다.


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hFE 의 실력치는 어느 정도의 편차가 있습니까?

hFE 범위는 당사 사양서에 기재되어 있습니다. 상한ᆞ하한 모두 기재되어 있는 것도 있으며, 하한만을 기재한 품번도 있습니다. 상한ᆞ하한 모두 기재되어 있는 품번은 실력치가 그 모든 범위값인 경우가 있습니다. 하한만이 기재되어 있는 품번은 실력치가 하한치의 수배 정도의 범위에 있을 경우가 많으므로, 자세한 내용은 "로옴 담당 영업" 으로 문의하십시오.

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디지털 트랜지스터의 기본적인 내용을 알려주십시오.

디지털 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터에 저항을 추가한 것입니다.

통상 바이폴라 트랜지스터  저항 R1 (입력저항) 추가  저항 R2 (EB 간 저항) 추가 

■ 저항 R1 에 대하여

ᆞ저항 R1 의 역할 : 입력전압을 전류로 변환하여 트랜지스터의 동작을 안정시킨다.

바이폴라 트랜지스터는 입력 (베이스 단자) 에 IC 등의 전압출력을 연결하여 전압제어로 동작시키면, 동작이 불안정해집니다.
IC 와 베이스 단자 간에 저항 (입력저항) 을 삽입하여 전류제어로서 동작시키면 동작을 안정화 할 수 있습니다.
(출력전류는 입력전압에 대해 지수 관수적으로 변화하지만, 입력전류에 대해서는 리니어로 변화하기 때문입니다.)
이 입력저항을 내장한 것이 디지털 트랜지스터의 저항 R1 입니다.

입력이 전압인 경우와 전류인 경우의 트랜지스터 동작을 비교하였습니다.
  전압 제어
입력 : 에미터 – 베이스 간 전압 VEB
전류 제어
입력 : 베이스 전류 IB
측정 회로도
이론식
입력-출력 특성

입력-출력 특성을 살펴보면 우측의 전류제어에서는 출력이 입력에 대해 리니어로 변화한 것에 비해, 좌측의 전압제어에서는 출력은 입력에 대해 지수 관수적으로 변화한 것을 볼 수 있습니다. 즉, 전압제어에서는 매우 미세한 입력 변화로 출력전류가 크게 변화하게 되어, 동작이 불안정해집니다.

예를 들어 우측 그래프에서는 입력전류가 40μA 에서 80μA 로 2배 변화하였을 때 출력전류는 9mA 에서 18mA 로 2배가 되지만, 좌측 그래프에서는 입력전압이 0.7V 에서 0.8V 로 불과 14% 만이 변화한 것만으로 출력전류가 10mA 에서 70mA 로 7배에 이르게 됩니다.
이로서는 입력전압에 미세한 노이즈가 침입한 것만으로 출력전류가 대폭 변화하게 되어, 실제 사용에는 적합하지 않습니다.

이와 같이 바이폴라 트랜지스터는 전류제어가 안정되므로, IC 의 전압출력을 베이스 전류로 변환하는데 입력저항 R1 이 필요합니다. 디지털 트랜지스터는 이 R1 을 내장하고 있으므로, 부품수나 스페이스 삭감에 적합합니다.

 
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■저항 R2 에 대하여

ᆞ저항 R2 의 역할 : 리크 전류를 흡수하여 오동작을 방지한다.

저항 R2 는 입력측에서 들어오는 리크 전류나 노이즈 등을 GND로 떨어뜨려 트랜지스터의 오동작을 방지합니다.
 
미비한 전류라면 입력전류는 모두 GND 로 떨어지지만, 입력전류가 커지면 입력전류의 일부가 트랜지스터의 베이스로 유입하기 시작하여, 트랜지스터가 ON 이 됩니다.
   
입력전류가 작을 때는 모든 입력전류가 GND 로 떨어져, 트랜지스터는 ON 이 되지 않는다.
(리크 전류 등으로 오동작 없음)
입력전류가 커지면, 입력전류의 일부가 베이스로 흘러들어가, 트랜지스터가 ON 이 된다.
(통상 ON 상태)
VR2=VBE<(EB 간의 순방향전압 ≒ 0.7V) 의 경우
VR2=VBE>(EB 간의 순방향전압 ≒ 0.7V) 의 경우
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디지털 트랜지스터의 내장 트랜지스터에 들어가는 베이스 전류의 계산 방법은?

DTC114EKA 를 예로 설명드리겠습니다.

디지털 트랜지스터 동작 시에는 내장 트랜지스터의 에미터 베이스 간 (EB 간) 의 순방향으로 베이스 전류가 흐르므로, EB 사이에는 순방향전압 (25℃ 에서 약 0.7V) 이 가해집니다. 디지털 트랜지스터는 내장 트랜지스터의 EB 사이와 저항 R2 가 병렬 접속되어 있으므로, R2 에도 같은 0.7V 가 인가됩니다. 따라서 R2 에는
IR2=0.7V/10KΩ=70μA 의 전류가 흐르게 됩니다.

 

입력전압 Vin 이 5V 인 경우, IN 단자의 전위가 5V 이고 내장 트랜지스터의 EB 간 전위차가 0.7V 이므로, 저항 R1 의 양단에는 5V - 0.7V = 4.3V 의 전압이 가해지게 됩니다. 따라서 R1 에는
IR1=4.3V/10KΩ = 430μA 의 전류가 흐르게 됩니다.

 

따라서 내장 트랜지스터의 베이스에는 430μA - 70μA = 360μA 의 전류가 흐르게 됩니다.

 

이와 같은 계산으로 내장 트랜지스터에 흐르는 베이스 전류를 산출할 수 있습니다. 디지털 트랜지스터를 충분히 ON 시키기 (=출력전압 Vo(on) 을 작게 한다) 위해서는 출력전류 Io 가 내장 트랜지스터에 들어가는 베이스 전류의 10~20배 정도 이하가 되도록 출력전류 : Io 나 입력전압 Vin 을 조정하십시오. 입력전압 Vin 이 모자라 충분한 출력전류가 흐르지 못할 경우, 입력저항 R1 이 작은 타입의 디지털 트랜지스터를 사용하십시오.

 

온도가 25℃ 의 경우 에미터 베이스 간 순방향전압은 약 0.7V 인데, 온도가 변화한 경우 순방향전압은 1℃ 상승할 때마다 약 2.2mV 감소하므로, 예를 들어 50℃ 의 경우 0.7V - (50℃ - 25℃) x 2.2mV = 0.645V 정도가 됩니다. 반대로 -40℃ 로 저하한 경우 0.7+ (25℃ - (-40℃)) x 2.2mV = 0.843V 정도가 됩니다.
이와 같이 온도에 따라서도 순방향전압 : VF 가 변화하므로 주의하십시오. 또 25℃ 에서의 순방향전압 0.7V 도 어디까지나 기준치입니다. ±0.1 정도 오차가 있을 수 있으므로 주의하십시오.

디지털 트랜지스터의 경우 내장 저항 R1, R2 에는 ±30% 정도의 편차가 있으므로 저항치가 최악인 경우를 감안하여 계산하십시오.
이와 같이 순방향전압이나 저항치에는 편차가 있으므로, 상기의 계산 방법은 어디까지나 기준임을 감안하십시오.

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디지털 트랜지스터를 ON 시키기 위한 입력전압 (구동전압) 의 계산 방법은?

DTC114EKA 를 예로 설명드리겠습니다.

디지털 트랜지스터 동작 시에는 BE 간에 순방향전류가 흐르므로, (BE 간 전압) = (BE 간 순방향전압 : 약 0.7V) = (R2 양단에 가해지는 전압) 이 성립됩니다.

디지털 트랜지스터 동작 시에는 내장 트랜지스터의 에미터 베이스 간 (EB 간) 의 순방향으로 베이스 전류가 흐르므로, EB 사이에는 순방향전압 (25℃ 에서 약 0.7V) 이 가해집니다. 디지털 트랜지스터는 내장 트랜지스터의 EB 사이와 저항 R2 가 병렬 접속되어 있으므로, R2 에도 같은 0.7V 가 인가됩니다. 따라서 R2 에는
IR2=0.7V/10KΩ=70μA 의 전류가 흐르게 됩니다.

 

이 R2 에 흐르는 70μA 는 R1에 도 흐르게 됩니다. 따라서 R1 양단에는 70μA x 10KΩ = 0.7V 의 전압이 가해지게 됩니다.
이 R1 의 0.7V 와 내장 트랜지스터의 EB 간 0.7V 를 합쳐 디지털 트랜지스터를 ON 시키기 위해서는 총 1.4V 의 입력전압이 필요하게 됩니다.

 
 

이와 같이 디지털 트랜지스터는 ON 시키기 위한 전압 Vi(on) 을 일반화 하면, 순방향전압이 Vf 일 때
Vi(on)=(Vf/R1)×R2+Vf

가 됩니다.
이로 인해 디지털 트랜지스터의 ON 전압은 R1 과 R2 의 비율로 정해지게 됩니다.
로옴의 디지털 트랜지스터는 예를 들어 DTC114EKA 의 'E' 문자 (숫자 3자리 다음의 알파벳) 로 ON 이 됩니다. 25℃ 시, Vf = 0.7V 라면 아래 그림과 같이 됩니다.

 

위와 같이 예를 들어 DTC143XKA 는 구동전압 약 1.05V, DTC114YKA 는 구동전압이 약 0.84V 가 됩니다.

* 실제로는 저항치 비율과 Vf 의 편차에 의해 상기의 구동전압에 20~30% 정도의 편차가 있으며, 온도 변호에 따른 변동도 있을 수 있습니다. 실제 사용 시에는 충분히 마진을 두고 설계하십시오.

(정확히는 25℃ 에서 출력전류가 100μA 정도의 경우 Vf = 0.5~0.6V 정도이며, 출력전류가 1mA 정도의 경우 Vf = 0.6~0.7V 정도로 계산하십시오.)

* 위에서는 DTC 타입 (NPN형) 을 예로 들었지만, DTA 타입 등의 PNP 타입도 Vf 값이 거의 같으므로 PNP 타입에서도 동등한 방식이 성립됩니다.

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MOSFET

"1.5V 구동" 이라고 되어 있는데, 기존품 호환 (1.8V 구동, 2.5V 구동 제품) 은 가능합니까?

1.5V 구동의 의미는 게이트 소스 간 전압 : MIN 1.5V 까지 구동할 수 있다는 뜻으로 1.8V, 2.5V 구동의 호환이 가능합니다. 단, 게이트 소스 간 전압에 최대정격 : ±10V 이상을 인가할 경우 4V 구동 제품을 사용하십시오.

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순간적으로 정격 ID 이상의 전류가 흐르게 될 경우, 사용 가능 여부에 대한 판단은 어떻게 합니까?

제품 별 SOA (Safe Operating Area) 가 있으므로, area 범위 내라면 사용 가능한 것으로 판단합니다.
예:VDS = 20V, Idpeak = 2A, Pw = 100μs 시 → Pw = 100μs 의 area 범위 내이므로 사용 가능합니다.

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할로겐 프리 제품은 대응 가능합니까?

소신호 패키지에 대해서는 대응 가능합니다. (별도 문의하시기 바랍니다.)

주위온도가 변할 경우 어떠한 사항에 주의해야 합니까?

허용손실 (Pc) 은 주위온도 (Ta) 에 따라 경감 (derating) 할 필요가 있습니다. 아래 그래프에서 디지털 트랜지스터에 가해지는 전력을 주위온도에 따라 경감하십시오.



안전 동작 영역 (SOA) derating 도 필요하므로 자세한 내용은 "로옴의 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위한 TR 사용 가능 여부 판단 방법" 을 참조하십시오.

또 전기적 특성으로는 예를 들어 바이폴라 트랜지스터 / 디지털 트랜지스터의 경우 입력전압 (VBE, VI(on), VI(off),) 과 hFE, GI는 온도에 따라 특성이 변동합니다. 전기적 특성 곡선 그래프에서 온도가 변화한 경우에도 동작에 문제가 없도록 설계하십시오. MOSFET 도 동일한 배려가 필요합니다.

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