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복합 트랜지스터

세계 최고의 생산량을 자랑하는 로옴의 트랜지스터는 시대의 요구에 신속하게 대응하고 있습니다. 소형 패키지를 복합화하여 스페이스 절약, 부품수 삭감을 실현하였으며, 풍부한 칩 조합으로 초소형 타입, 소형 파워 타입 등 다채로운 제품 라인업을 선보입니다.
 
MOSFET
  
바이폴라 트랜지스터
  
디지털 트랜지스터
  
다이오드 포함
[MOS+MOS]
[MOS+Diode] 		  [BIP+BIP]
[BIP+DTR]
[DTR+MOS]
 [BIP+MOS]
[BIP+Diode]
[DTR+Diode]
   [DTR+DTR]   MOS[MOS+Diode]
BIP[BIP+Diode]
BIP[DTR+Diode]




Product List
복합 MOSFETs[ MOSFET + MOSFET ]

Small Signal MOSFET
VMT6 EMT6
(SC-107C)		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>
[단위:mm]
Drive
Voltage
(V)		 ID
(A)		 VDSS(V) RoHS
20Package30Package50Package60Package
0.9 0.2 ----EM6K34(N+N)
UM6K34N(N+N)		EMT6
UMT6		-- Yes
1.2 0.1 VT6J1(P+P)
VT6K1(N+N)
VT6M1(N+P)		VMT6
VMT6
VMT6		------ Yes
0.2 EM6J1(P+P)
EM6K7(N+N)
EM6M2(N+P)		EMT6
EMT6
EMT6		--EM6K33(N+N)
UM6K33N(N+N)		EMT6
UMT6		-- Yes
1.8 0.3 EM6K6(N+N)EMT6------ Yes
2.5 0.25 ------EM6K31(N+N)
UM6K31N(N+N)		EMT6
UMT6		 Yes
4 0.2 --UM6J1N(P+P)UMT6---- Yes
( ) 안의 N 은 Nch, P 는 Pch
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
페이지 위쪽

Middle Power MOSFET
TUMT6 TSMT5 TSMT6
(SC-95)		 TSMT8 TSST8
[단위:mm]
Drive
Voltage
(V)		 ID
(A)		 VDSS(V) RoHS
0Package12Package20Package30Package45Package100Package
1.5 1.3 --US6J11(P+P)TUMT6-------- Yes
1.5 ----US6M11(N+P)TUMT6------ Yes
2 --QS6J11(P+P)
QS8J13(P+P)
US6J12(P+P)		TSMT6
TSMT8
TUMT6		-------- Yes
2.5 --TT8J13(P+P)TSST8TT8J21(P+P)
TT8K1(N+N)
TT8M1(N+P)
TT8M3(N+P)		TSST8
TSST8
TSST8
TSST8		------ Yes
3.5 --QS8J11(P+P)
TT8J11(P+P)		TSMT8
TSST8		-------- Yes
4 --QS8J2(P+P)TSMT8-------- Yes
4.5 --QS8J12(P+P)TSMT8-------- Yes
1.8 1.5 ----US6K4(N+N)TUMT6------ Yes
2.5 1 ------QS6K1(N+N)TSMT6QS6K21(N+N)TSMT6-- Yes
1.5 ------QS6M3(N+P)
QS6M4(N+P)
US6K1(N+N)
US6M2(N+P)		TSMT6
TSMT6
TUMT6
TUMT6		---- Yes
2 ------QS5K2(N+N)TSMT5---- Yes
2.5 ------TT8K2(N+N)TSST8---- Yes
3.5 ------QS8K2(N+N)TSMT8---- Yes
2.5/1.5 2.5 ------TT8M2(N+P)TSST8---- Yes
4 1.4 ------US6K2(N+N)
US6M1(N+P)		TUMT6
TUMT6		---- Yes
2 ----------QS8K51(N+N)
QS8M51(N+P)		TSMT8
TSMT8		 Yes
2.5 ------TT8J2(P+P)
TT8J3(P+P)		TSST8
TSST8		---- Yes
3 QS8M31(N+P)TSMT8----TT8K11(N+N)
TT8M11(N+P)		TSST8
TSST8		---- Yes
3.5 ------QS8K11(N+N)
QS8M11A(N+P)		TSMT8
TSMT8		---- Yes
4 ------QS8J4(P+P)
QS8K12(N+N)
QS8M12(N+P)		TSMT8
TSMT8
TSMT8		QS8K21(N+N)TSMT8-- Yes
5 ------QS8J5(P+P)TSMT8---- Yes
6 ------QS8K13(N+N)
QS8M13(N+P)		TSMT8
TSMT8		---- Yes
( ) 안의 N 은 Nch, P 는 Pch
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
페이지 위쪽

Power MOSFET
SOP8
[단위:mm]
Drive
Voltage
(V)		 ID
(A)		 VDSS(V) RoHS
30Package40Package45Package60Package80Package100Package250Package500Package
4 3 ----------SP8M51(N+P)SOP8---- Yes
3.4 --------SH8M41(N+P)SOP8------ Yes
3.5 SH8K11(N+N)
SH8M11(N+P)		SOP8
SOP8		-------------- Yes
4 --SH8K25(N+N)SOP8------------ Yes
4.5 SH8J62(P+P)SOP8--SH8K22(N+N)
SH8M24(N+P)		SOP8
SOP8		SH8J31(P+P)
SH8K32(N+N)		SOP8
SOP8		-------- Yes
5.0 SH8K12(N+N)
SH8M12(N+P)		SOP8
SOP8		-------------- Yes
6.0 SH8K13(N+N)
SH8M13(N+P)		SOP8
SOP8		SH8K26(N+N)SOP8------------ Yes
7 SH8J65(P+P)
SH8K14(N+N)		SOP8
SOP8		-------------- Yes
9 SH8J66(P+P)
SH8K15(N+N)
SH8M14(N+P)		SOP8
SOP8
SOP8		-------------- Yes
10 0.5 --------------SP8K80(N+N)SOP8 Yes
3 ------------SH8M70(N+P)SOP8-- Yes
( ) 안의 N 은 Nch, P 는 Pch
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
페이지 위쪽

복합 MOSFETs[ MOSFET + Diode ] / [ Diode + MOSFET ]
TUMT5TSMT5WEMT6TSST8
[단위:mm]
Drive
Voltage
(V)		 ID
(A)		 VDSS(V) RoHS
12Package20Package30Package45Package
1.5 1.5 --ES6U2(N+SBD)WEMT6---- Yes
2.4 --TT8U1(P+SBD)
TT8U2(P+SBD)		TSST8
TSST8		---- Yes
2.5 --QS5U36(N+SBD)TSMT5---- Yes
1.8 1.3 ES6U1(P+SBD)WEMT6------ Yes
1.5 --QS5U34(N+SBD)TSMT5---- Yes
2.5 1 --ES6U42(P+SBD)
US5U30(P+SBD)
US5U38(P+SBD)		WEMT6
TUMT5
TUMT5		---- Yes
1.5 --QS5U21(P+SBD)
QS5U23(P+SBD)
QS5U26(P+SBD)
QS5U27(P+SBD)
QS6U22(P+SBD)		TSMT5
TSMT5
TSMT5
TSMT5
TSMT6		ES6U41(N+SBD)
US5U1(N+SBD)
US5U3(N+SBD)
US6U37(N+SBD)		WEMT6
TUMT5
TUMT5
TUMT6		-- Yes
2 --QS5U28(P+SBD)TSMT5QS5U12(N+SBD)
QS5U13(N+SBD)
QS5U16(N+SBD)
QS5U17(N+SBD)		TSMT5
TSMT5
TSMT5
TSMT5		-- Yes
4 0.7 ------US5U35(P+SBD)TUMT5 Yes
1 ----QS6U24(P+SBD)TSMT6-- Yes
1.4 ----ES6U3(N+SBD)
US5U2(N+SBD)		WEMT6
TUMT5		-- Yes
2 ----QS5U33(P+SBD)TSMT5-- Yes
( ) 안의 N 은 Nch, P 는 Pch
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
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복합 바이폴라 트랜지스터[ BIP TR + BIP TR ]
Configuration Package VMT6 EMT5
(SC-107BB)		 EMT6
(SC-107C)		 UMT5
(SC-88A)
<SOT-353>		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 SMT5
(SC-74A)		 SMT6
(SC-74)
<SOT-457>		 TUMT6 TSMT5 TSMT6
(SC-95)		 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit
diagram
(TOP View)
PNP+PNP Pre Amp. VT6T2 - - - - - -50
 -0.1
 120～560 Yes
- EMT1 UMT1N IMT1A - - -50
 -0.15
 120～560 Yes
VT6T1 - - - - - -20
 -0.2
 120～560 Yes
- EMT18 UMT18N IMT18 - - -12
 -0.5
 270～680 Yes
- - - IMT17 - - -50
 -0.5
 120～390 Yes
- - - IMT2A - - -50
 -0.15
 120～560 Yes
- EMT2 UMT2N - - - -50
 -0.15
 120～560 Yes
- - - IMT4 - - -120
 -0.05
 180～820 Yes
- - - IMT3A - - -50
 -0.15
 120～560 Yes
- EMT3 - - - - -50
 -0.15
 120～560 Yes
Driver - - - - US6T9 QST9 -30
 -1
 270～680 Yes
- - - - US6T8 QST8 -12
 -1.5
 270～680 Yes
Suitable for current mirror circuit VT6T12 - - - - - -50
 -0.1
 120～560 Yes
VT6T11 - - - - - -20
 -0.2
 120～560 Yes
NPN+NPN Pre Amp. VT6X2 - - - - - 50
 0.1
 120～560 Yes
- EMX1 UMX1N IMX1 - - 50
 0.15
 120～560 Yes
- EMX26 - - - - 50
 0.15
 820～2700 Yes
VT6X1 - - - - - 20
 0.2
 120～560 Yes
- - - IMX25 - - 20
 0.3
 820～2700 Yes
- EMX18 UMX18N - - - 12
 0.5
 270～680 Yes
- - - IMX9 - - 20
 0.5
 560～2700 Yes
- - - IMX17 - - 50
 0.5
 120～390 Yes
- - - IMX2 - - 50
 0.15
 120～560 Yes
- EMX2 UMX2N - - - 50
 0.15
 120～560 Yes
- - - IMX8 - - 120
 0.05
 180～820 Yes
- - - IMX3 - - 50
 0.15
 120～560 Yes
- EMX3 UMX3N - - - 50
 0.15
 120～560 Yes
- - - - - QS6Z5 50
-50		 1
-1		 180～450 Yes
High Frequency - - - IMX5 - - 11
 0.05
 56～120 Yes
- - - IMX4 - - 20
 0.05
 56～180 Yes
- - UMX21N - - - 6
 0.05
 180～560 Yes
- EMX5 UMX5N - - - 11
 0.05
 56～120 Yes
- EMX4 UMX4N - - - 20
 0.05
 56～180 Yes
Driver - - - - US6X8 QSX8 30
 1
 270～680 Yes
- - - - US6X7 QSX7 12
 1.5
 270～680 Yes
Suitable for current mirror circuit VT6X12 - - - - - 50
 0.1
 120～560 Yes
VT6X11 - - - - - 20
 0.2
 120～560 Yes
DC-DC Converter - - - - - QS5W2 50
 3
 180～450 Yes
- - - - - QS5W1 30
 3
 200～500 Yes
NPN+PNP Amplifier - - - FMY1A - - -50
50		 -0.15
0.15		 120～560 Yes
- EMY1 UMY1N - - - -50
50		 -0.15
0.15		 120～560 Yes
Inverter Driver - - - FMY4A - - -50
50		 -0.15
0.15		 120～560 Yes
Pre Amp. VT6Z2 - - - - - -50
50		 -0.1
0.1		 120～560 Yes
VT6Z1 - - - - - -20
20		 -0.2
0.2		 120～560 Yes
- - - IMZ1A - - 50
-50		 0.15
-0.15		 120～560 Yes
- - - IMZ4 - - 32
-32		 0.5
-0.5		 180～390 Yes
- EMZ1 UMZ1N - - - 50
-50		 0.15
-0.15		 120～560 Yes
- EMZ7 - - - - 12
-12		 0.5
-0.5		 270～680 Yes
- EMZ8 - - - - -12
50		 -0.5
0.15		 270～680 Yes
- - - IMZ2A - - -50
50		 -0.15
0.15		 120～560 Yes
- EMZ2 UMZ2N - - - -50
50		 -0.15
0.15		 120～560 Yes
DC-DC Converter - - - - - QSZ2 -30
30		 -1.5
1.5		 270～680 Yes
- - - - - QSZ1 -12
12		 -2
2		 270～680 Yes
- - - - - QSZ4 -30
30		 -2
2		 270～680 Yes
- - - - - QSZ3 -12
12		 -3
3		 270～680 Yes
- - - - - QS5Y1 -30
30		 -3
3		 200～500 Yes
- - - - - QS5Y2 -50
50		 -3
3		 180～450 Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
페이지 위쪽

복합 바이폴라 트랜지스터[ MOSFET + BIP TR ] / [ BIP TR + MOSFET ]
Configuration Package EMT6
(SC-107C)		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 TSMT8 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)
BIP_PNP+MOS_Nch Power Manegement EMF6 UMF6N - -12
30		 -0.5 270～680 Yes
BIP_NPN+MOS_Nch Power Manegement EMF9 UMF9N - 12
30		 0.5 270～680 Yes
BIP_PNP+MOS_Pch Load switch
Switching		 - - QS8F2 -30
-12		 -2 270～680 Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
페이지 위쪽

Complex 바이폴라 트랜지스터[ BIP TR ＋ DTR ] ／ [ DTR ＋ BIP TR ]
Configuration Package EMT6
(SC-107C)		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)
BIP_PNP+DTR_NPN Power Manegement - UMF28N -50
50		 -0.15 180～390 Yes
EMF5 UMF5N -12
50		 -0.5 270～680 Yes
BIP_NPN+DTR_NPN Power Manegement EMF8 UMF8N 12
50		 0.5 270～680 Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
페이지 위쪽
복합 바이폴라 트랜지스터[ BIP TR + Diode ] / [ Diode + BIP TR ]
Configuration Package EMT6
(SC-107C)		 UMT5
(SC-88A)
<SOT-353>		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 SMT5
(SC-74A)		 TUMT5 TSMT5 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)
BIP_PNP+Di DC-DC Converter - UML1N - - - -50
 -0.15 120～560 Yes
- UML4N - - - -12
 -0.5 270～680 Yes
- - FML9 - - -12
 -1.5 270～680 Yes
- - - - QSL11 -30
 -1 270～680 Yes
- - - US5L9 QSL9 -12
 -1.5 270～680 Yes
BIP_NPN+Di DC-DC Converter - UML2N - - - 50
 0.15 120～560 Yes
- UML6N - - - 12
 0.5 270～680 Yes
- - FML10 - - 12
 1.5 270～680 Yes
- - - US5L12 QSL12 30
 1 270～680 Yes
- - - US5L10 QSL10 12
 1.5 270～680 Yes
Shunt Regulator EML22 UML23N - - - 50
Vz
6.8
 0.15
Iz
5		 120～270 Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
페이지 위쪽

Complex 바이폴라 트랜지스터[ MOSFET + DTR ] / [ DTR + MOSFET ]
Configuration Package EMT6
(SC-107C)		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)
DTR_PNP+MOS_Nch Power Manegement EMF32 UMF32N -50
30		 -0.1 100～600 Yes
EMF33 - -12
30		 -0.5 140～ Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
MOSFET 는 구조 상, 대전성이 큰 환경에서 소자 열화 및 파괴의 우려가 있으므로, 취급 시에는 반드시 정전 대책을 세워주시기 바랍니다.
페이지 위쪽

複合 바이폴라 트랜지스터[ DTR + Diode ] / [ Diode + DTR ]
Configuration Package EMT5
(SC-107BB)		 EMT6
(SC-107C)		 VCEO
(V)		 IC
(A)		 hFE*2 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)
DTR_PNP+Di DC-DC Converter EML17 -50
30		 0.1 68～ Yes
DTR_NPN+Di DC-DC Converter EML20 50
30		 0.1 80～ Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin
페이지 위쪽

복합 디지털 트랜지스터[ DTR + DTR ] / [ DTR + DTR ]
Configuration Package EMT5
(SC-107BB)		 EMT6
(SC-107C)		 UMT5
(SC-88A)
<SOT-353>		 UMT6
(SC-88)
<SOT-363>		 SMT5
(SC-74A)		 SMT6
(SC-74)
<SOT-457>		 TUMT6 TSMT6
(SC-95)		 Eqivalent
element
transistors		 VCC
(VCEO)
(V)		 IO
(IC)
(A)		 GI
(hFE)		 RoHS
Application Equivalent
circuit diagram
(TOP View)		 Upper row: Tr1
The lower: Tr2
PNP+PNP Potentional divider type - UMA9N - - - DTA114E×2 -50
 -0.1
 30～
-		 Yes
- UMA1N - - - DTA124E×2 -50
 -0.1
 56～
-		 Yes
EMA2 UMA2N - - - DTA144E×2 -50
 -0.1
 68～
-		 Yes
Leak asorption type EMA5 UMA5N - - - DTA123J×2 -50
 -0.1
 80～
-		 Yes
Potentional divider type - - FMA9A - - DTA114E×2 -50
 -0.1
 30～
-		 Yes
- - FMA1A - - DTA124E×2 -50
 -0.1
 56～
-		 Yes
- - FMA2A - - DTA144E×2 -50
 -0.1
 68～
-		 Yes
Leak asorption type - - FMA5A - - DTA123J×2 -50
 -0.1
 80～
-		 Yes
Input resistor type EMA4 UMA4N - - - DTA114T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
EMA3 UMA3N - - - DTA143T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
Input resistor type - - FMA4A - - DTA114T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
- - FMA3A - - DTA143T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
Potentional divider type EMB11 UMB11N IMB11A - - DTA114E×2 -50
 -0.1
 30～
-		 Yes
EMB2 UMB2N IMB2A - - DTA144E×2 -50
 -0.1
 68～
-		 Yes
Leak asorption type EMB10 UMB10N IMB10A - - DTA123J×2 -50
 -0.1
 80～
-		 Yes
Potentional divider type EMB6 UMB6N - - - DTA144E×2 -50
 -0.1
 68～
-		 Yes
Input resistor type EMB4 - - - - DTA114T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
EMB3 UMB3N IMB3A - - DTA143T×2 -50
 -0.1
 100～600
-		 Yes
NPN+NPN Potentional divider type EMG9 UMG9N - - - DTC114E×2 50
 0.1
 30～
-		 Yes
EMG5 UMG5N - - - DTC114Y×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
EMG11 UMG11N - - - DTC123J×2 50
 0.1
 80～
-		 Yes
EMG1 UMG1N - - - DTC124E×2 50
 0.1
 56～
-		 Yes
EMG8 UMG8N - - - DTC143Z×2 50
 0.1
 80～
-		 Yes
EMG2 UMG2N - - - DTC144E×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
Potentional divider type - - FMG9A - - DTC114E×2 50
 0.1
 30～
-		 Yes
- - FMG1A - - DTC124E×2 50
 0.1
 56～
-		 Yes
- - FMG2A - - DTC144E×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
Input resistor type EMG4 UMG4N - - - DTC114T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
EMG3 UMG3N - - - DTC143T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
EMG6 UMG6N - - - DTC144T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
Input resistor type - - FMG4A - - DTC114T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
- - FMG3A - - DTC143T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
- - FMG6A - - DTC144T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
Potentional divider type EMH11 UMH11N IMH11A - - DTC114E×2 50
 0.1
 30～
-		 Yes
EMH1 UMH1N IMH1A - - DTC124E×2 50
 0.1
 56～
-		 Yes
EMH25 - - - - DTC143Z×2 50
 0.1
 80～
-		 Yes
EMH2 UMH2N IMH2A - - DTC144E×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
Leak asorption type EMH9 UMH9N IMH9A - - DTC114Y×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
EMH10 UMH10N - - - DTC123J×2 50
 0.1
 80～
-		 Yes
Potentional divider type - UMH5N - - - DTC124E×2 50
 0.1
 56～
-		 Yes
EMH6 UMH6N - - - DTC144E×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
Potentional divider type - - IMH5A - - DTC124E×2 50
 0.1
 56～
-		 Yes
- - IMH6A - - DTC144E×2 50
 0.1
 68～
-		 Yes
Input resistor type EMH4 UMH4N IMH4A - - DTC114T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
EMH3 UMH3N IMH3A - - DTC143T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
EMH15 - IMH15A - - DTC144T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
- - IMH21 - - DTC614T×2 20
 0.6
 820～2700
-		 Yes
- - IMH23 US6H23 - DTC643T×2 20
 0.6
 820～2700
-		 Yes
Input resistor type - UMH8N - - - DTC114T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
- UMH14N - - - DTC144T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
Input resistor type - - IMH8A - - DTC114T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
- - IMH14A - - DTC144T×2 50
 0.1
 100～600
-		 Yes
Input resistor type - - - - QSH29 DTDG14GP×2 60±10
 0.5
 500～
-		 Yes
PNP+NPN Potentional divider type EMD3 UMD3N - - - DTA114E×DTC114E 50
-50		 0.1
-0.1		 30～
30～		 Yes
EMD2 UMD2N - - - DTA124E×DTC124E 50
 0.1
 56～
-		 Yes
EMD12 UMD12N - - - DTA144E×DTC144E 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
68～		 Yes
Leak asorption type EMD38 - - - - DTA113Z×DTC114Y 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
33～		 Yes
EMD9 UMD9N - - - DTA114Y×DTC114Y 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
68～		 Yes
EMD4 UMD4N - - - DTA114Y×DTC144E 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
68～		 Yes
EMD5 UMD5N - - - DTA143X×DTC144E 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
30～		 Yes
EMD22 UMD22N - - - DTA143Z×DTC143Z 50
-50		 0.1
-0.1		 80～
80～		 Yes
Potentional divider type - - IMD3A - - DTA114E×DTC114E 50
-50		 0.1
-0.1		 30～
30～		 Yes
- - IMD2A - - DTA124E×DTC124E 50
-50		 0.1
-0.1		 56～
56～		 Yes
Leak asorption type - - IMD9A - - DTA114Y×DTC114Y 50
-50		 0.1
-0.1		 68～
68～		 Yes
Input resistor type EMD6 UMD6N - - - DTA143T×DTC143T 50
-50		 0.1
-0.1		 100～600
～600		 Yes
Input resistor type - - IMD6A - - DTA143T×DTC143T 50
-50		 0.1
-0.1		 100～600
～600		 Yes
Power management EMD29 - - - - DTB513Z×DTC114E -12
50		 -0.5
0.1		 140～
30～		 Yes
EMD30 - - - - DTB713Z×DTC114E -30
50		 0.2
0.1		 140～
30～		 Yes
Power management - - IMD10A - - - ×DTC114T -50
50		 -0.5
0.1		 68～
～600		 Yes
- - IMD16A - - - ×DTC115T -50
50		 -0.5
0.1		 82～
～600		 Yes
* VMT6, EMT5, EMT6, UMT5, UMT6, TUMT5, TUMT6, TSMT5, TSMT6, MPT6 패키지는 등가회로도의 왼쪽 밑이 1pin
* SMT5, SMT6 패키지는 등가회로도의 오른쪽 밑이 1pin

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2010.09.14

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