SiC파워 디바이스

SiC Power Devices

SiC (실리콘 카바이드)는 스위칭 손실을 저감할 수 있으며, 고온 환경에서의 동작 특성이 우수하여 차세대 저손실 소자로 각광받고 있습니다.
태양광 · 풍력 발전 등의 DC/AC 컨버터, 플러그인 하이브리드 카 및 전기 자동차 등에 사용되는 충전기, 또한 산업기기 및 에어컨용 인버터 등, 다양한 용도의 저전력화 키 디바이스로서 SiC 파워 디바이스를 상품화하고 있습니다.

제품 소개

특성 일람ᆞ검색

Total Capacitive Charge (Qc)가 작으므로 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭이 가능합니다.
또한, Si 패스트 리커버리 다이오드의 trr은 온도 상승에 따라 증대하는 반면, SiC는 거의 일정한 특성을 유지할 수 있습니다.

특성 일람ᆞ검색

원리적으로 스위칭 동작 시의 tail 전류가 없으므로 고속으로 동작하여 스위칭 손실의 저감이 가능합니다.
작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있으므로 저용량 · 낮은 Gate Charge를 실현합니다. Si 디바이스가 온도 상승에 따라 ON 저항이 2배 이상 상승하는 것에 비해 SiC는 ON 저항 증가가 적으므로 기기의 소형 · 저전력화에 기여합니다.