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제품 정보

ECO Devices

인버터의 고효율화 · 실장 면적 저감에 기여 고속 trr / 고내압 MOSFET : PrestoMOS™

개요 | 특징 | 세트 / 사용회로 예 | 라인업

고속 스위칭 · 고내압 MOSFET 시리즈 / 고속 trr 타입 PrestoMOS™

개요

전원 일체형 인버터 등에 최적인 고속 trr 타입 「PrestoMOSTM」! 고속 스위칭 및 내부 Di의 고속 trr화로 고효율 · 저손실화뿐만 아니라 전원 기판의 소형화에도 기여합니다. 또한, 면실장 패키지인 「CPT3 (D-PAK)」「LPT (D2-PAK)」를 새롭게 라입업할 예정입니다.


< PrestoMOSTM 란>

Presto: “매우 빠르게” 를 뜻하는 이태리어를 사용한 음악 용어

패키지

특징

  • 한층 더 고효율화
    저 ON 저항, Low Qg 와 더불어 내부 다이오드의
    고속 trr 화 실현
  • 부품수 삭감
    내부 다이오드의 고속 trr 에 의한 외장 FRD
    (패스트 리커버리 다이오드) 삭감 가능
trr (역회복 시간) 파형 비교 R6008FNX VS R6008ANX
클릭하시면 확대됩니다.

전류 손실 대책 (FRD 외장) → 고속 trr 타입도 PrestoMOS™

세트 / 사용회로 예

세트 / 사용회로 예

  • 전원 일체형 인버터 / 조명 / 모터
  • 태양전지, 파워 컨디셔너
  • 고주파로 사용하는 브릿지 회로
  • di / dt 파괴 내량이 염려되는 회로
  • 고주파화로 인하여 트랜스를 포함한 기판의 소형화를 검토중인 세트 etc.
Application

라인업

Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)VGS=10V
trr[ns] Typ. Package
R6008FNJ 600 8 0.72 67 LPT
R5009FNX 500 9 0.65 78 TO-220FM
R5011FNX 11 0.4 85
R5016FNX 16 0.22 100
R6008FNX 600 8 0.73 67
R6012FNX 12 0.39 75
R6012FNJ 12 0.39 75 LPTS
R6015FNX 15 0.27 90 TO-220FM
R6020FNX 20 0.2 105
R6025FNZ 25 0.14 120 TO-3PF
R6025FNZ1 25 0.14 120 TO-247
R6046FNZ 46 0.075 145 TO-3PF
R6046FNZ1 46 0.075 143 TO-247

 

관련 정보

고속 trr / 고내압 MOSFET : PrestoMOSTM 이외에도 독자적인 기술을 활용하여 고객의 요구에 대응할 수 있는 트랜지스터 제품 개발을 추진함과 동시에, 제품 시리즈 확충에도 임하고 있습니다.

본 제품에 대한 문의

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